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SIDR626LDP-T1-RE3

SIDR626LDP-T1-RE3

SIDR626LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK

não conforme

SIDR626LDP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.19000 $3.19
500 $3.1581 $1579.05
1000 $3.1262 $3126.2
1500 $3.0943 $4641.45
2000 $3.0624 $6124.8
2500 $3.0305 $7576.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 45.6A (Ta), 2.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5900 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTLUS3A18PZTAG
NTLUS3A18PZTAG
$0 $/pedaço
FDMT80080DC
FDMT80080DC
$0 $/pedaço
FDD6782A
SISS5708DN-T1-GE3
FDBL86563-F085
FDBL86563-F085
$0 $/pedaço
IRFZ44ZPBF
UF4SC120030K4S
UF4SC120030K4S
$0 $/pedaço
IRF1010NSTRRPBF
STU8NM50N
STU8NM50N
$0 $/pedaço

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