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SIDR610DP-T1-RE3

SIDR610DP-T1-RE3

SIDR610DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET

SOT-23

não conforme

SIDR610DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.63000 $2.63
500 $2.6037 $1301.85
1000 $2.5774 $2577.4
1500 $2.5511 $3826.65
2000 $2.5248 $5049.6
2500 $2.4985 $6246.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1380 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXFR24N90P
IXFR24N90P
$0 $/pedaço
AUIRFR9024N
BMS4007-1E
BMS4007-1E
$0 $/pedaço
MSC040SMA120B
IXFH150N25X3
IXFH150N25X3
$0 $/pedaço
STP110N10F7
STP110N10F7
$0 $/pedaço
STF2N95K5
STF2N95K5
$0 $/pedaço
IXFX170N20P
IXFX170N20P
$0 $/pedaço
FDN5618P
FDN5618P
$0 $/pedaço

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