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IXFX170N20P

IXFX170N20P

IXFX170N20P

IXYS

MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3

não conforme

IXFX170N20P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $14.89267 $446.7801
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 170A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 185 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PLUS247™-3
pacote / caixa TO-247-3 Variant
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Número da peça relacionada

FDN5618P
FDN5618P
$0 $/pedaço
SIRA14BDP-T1-GE3
NVMFS6H858NT1G
NVMFS6H858NT1G
$0 $/pedaço
PSMN2R0-30PL,127
SIHH105N60EF-T1GE3
SPU08N05L
SPU08N05L
$0 $/pedaço
IRFB3306PBF
FDPF085N10A
FDPF085N10A
$0 $/pedaço
AUIRFB3806

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