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SIRA14BDP-T1-GE3

SIRA14BDP-T1-GE3

SIRA14BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8

não conforme

SIRA14BDP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19062 -
6,000 $0.17832 -
15,000 $0.16602 -
30,000 $0.15741 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Ta), 64A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.38mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 917 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 36W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NVMFS6H858NT1G
NVMFS6H858NT1G
$0 $/pedaço
PSMN2R0-30PL,127
SIHH105N60EF-T1GE3
SPU08N05L
SPU08N05L
$0 $/pedaço
IRFB3306PBF
FDPF085N10A
FDPF085N10A
$0 $/pedaço
AUIRFB3806
IXTA36P15P-TRL
IXTA36P15P-TRL
$0 $/pedaço

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