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SIDR608EP-T1-RE3

SIDR608EP-T1-RE3

SIDR608EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SIDR608EP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.76000 $2.76
500 $2.7324 $1366.2
1000 $2.7048 $2704.8
1500 $2.6772 $4015.8
2000 $2.6496 $5299.2
2500 $2.622 $6555
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 45 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 56A (Ta), 228A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 167 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8900 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 7.5W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

DMN66D0LT-7
DMN66D0LT-7
$0 $/pedaço
BUK762R6-40E,118
3LN01C-TB-H
3LN01C-TB-H
$0 $/pedaço
IXTK100N25P
IXTK100N25P
$0 $/pedaço
SQJA62EP-T1_GE3
IXTA110N055T2
IXTA110N055T2
$0 $/pedaço
IRL7833PBF
IPB017N08N5ATMA1

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