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SQJA62EP-T1_GE3

SQJA62EP-T1_GE3

SQJA62EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

compliant

SQJA62EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXTA110N055T2
IXTA110N055T2
$0 $/pedaço
IRL7833PBF
IPB017N08N5ATMA1
IRF151
IRF151
$0 $/pedaço
IRF9332TRPBF
NVTFS5C670NLTAG
NVTFS5C670NLTAG
$0 $/pedaço
RRH090P03TB1
RRH090P03TB1
$0 $/pedaço
ZXMN2B14FHTA

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