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SIDR104AEP-T1-RE3

SIDR104AEP-T1-RE3

SIDR104AEP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

não conforme

SIDR104AEP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.19000 $3.19
500 $3.1581 $1579.05
1000 $3.1262 $3126.2
1500 $3.0943 $4641.45
2000 $3.0624 $6124.8
2500 $3.0305 $7576.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3250 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.5W (Ta), 120W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SI7818DN-T1-E3
SI7818DN-T1-E3
$0 $/pedaço
SI7164DP-T1-GE3
STW40N65M2
STW40N65M2
$0 $/pedaço
IGW40N60TP
IPZ60R099C7XKSA1
PSMN7R0-100BS,118
IXTA30N25L2
IXTA30N25L2
$0 $/pedaço
PSMN027-100PS,127

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