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SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8

não conforme

SI7818DN-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.78720 -
6,000 $0.75024 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 135mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SI7164DP-T1-GE3
STW40N65M2
STW40N65M2
$0 $/pedaço
IGW40N60TP
IPZ60R099C7XKSA1
PSMN7R0-100BS,118
IXTA30N25L2
IXTA30N25L2
$0 $/pedaço
PSMN027-100PS,127
SI1032X-T1-GE3
SI1032X-T1-GE3
$0 $/pedaço
ZVP1320FQTA
ZVP1320FQTA
$0 $/pedaço
IXTY1R4N100P
IXTY1R4N100P
$0 $/pedaço

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