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SIAA40DJ-T1-GE3

SIAA40DJ-T1-GE3

SIAA40DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6

compliant

SIAA40DJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.29069 -
6,000 $0.27183 -
15,000 $0.26240 -
30,000 $0.25725 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1200 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 19.2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6 Single
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

SQ2309ES-T1_GE3
VP0550N3-G-P013
IPU60R1K0CE
RTF016N05FRATL
R6024ENJTL
R6024ENJTL
$0 $/pedaço
APT1001RBVFRG
IXTP20N65X2
IXTP20N65X2
$0 $/pedaço
PMV60ENEAR
PMV60ENEAR
$0 $/pedaço

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