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SIAA02DJ-T1-GE3

SIAA02DJ-T1-GE3

SIAA02DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK

compliant

SIAA02DJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22A (Ta), 52A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.7mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.6V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) +12V, -8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1250 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

RQ5E035ATTCL
RQ5E035ATTCL
$0 $/pedaço
IPI65R190C6XKSA1
STB18N60M2
STB18N60M2
$0 $/pedaço
DMT8012LK3-13
IRFP4127PBF
IRF3205LPBF
RSJ400N10TL
RSJ400N10TL
$0 $/pedaço

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