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STB18N60M2

STB18N60M2

STB18N60M2

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

compliant

STB18N60M2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.58865 -
2 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 791 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 110W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMT8012LK3-13
IRFP4127PBF
IRF3205LPBF
RSJ400N10TL
RSJ400N10TL
$0 $/pedaço
NVMFS5C456NLWFAFT1G
NVMFS5C456NLWFAFT1G
$0 $/pedaço
FQU2N90TU
IRLR6225TRPBF
RSU002P03T106

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