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SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

compliant

SIA485DJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.22671 -
6,000 $0.21289 -
15,000 $0.19908 -
30,000 $0.18940 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 155 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 15.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

IXTA10P50P
IXTA10P50P
$0 $/pedaço
TPS1101PWR
TPS1101PWR
$0 $/pedaço
FQA13N50CF
IPP034N03LG
NVD5C460NT4G
NVD5C460NT4G
$0 $/pedaço
FDG314P
FDG314P
$0 $/pedaço

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