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IXTA10P50P

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IXYS

MOSFET P-CH 500V 10A TO263

não conforme

IXTA10P50P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.74000 $6.74
500 $6.6726 $3336.3
1000 $6.6052 $6605.2
1500 $6.5378 $9806.7
2000 $6.4704 $12940.8
2500 $6.403 $16007.5
1 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2840 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AA
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

TPS1101PWR
TPS1101PWR
$0 $/pedaço
FQA13N50CF
IPP034N03LG
NVD5C460NT4G
NVD5C460NT4G
$0 $/pedaço
FDG314P
FDG314P
$0 $/pedaço
IRFH5006TRPBF
APT30M19JVFR

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