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SIA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

não conforme

SIA445EDJT-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19259 -
6,000 $0.18086 -
15,000 $0.16912 -
30,000 $0.16090 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2180 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6 Single
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

IXTQ30N60P
IXTQ30N60P
$0 $/pedaço
TP5335K1-G
TP5335K1-G
$0 $/pedaço
SIHG80N60E-GE3
SIHG80N60E-GE3
$0 $/pedaço
SI2315BDS-T1-GE3
PMT280ENEAX
PMT280ENEAX
$0 $/pedaço
AUIRFR3710ZTRL
RQ6E045TNTR
RQ6E045TNTR
$0 $/pedaço
NVMFS6H801NLT1G
NVMFS6H801NLT1G
$0 $/pedaço
NTMT095N65S3H
NTMT095N65S3H
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