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IXTQ30N60P

IXTQ30N60P

IXTQ30N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

não conforme

IXTQ30N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $5.65800 $169.74
20 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5050 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 540W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-3P
pacote / caixa TO-3P-3, SC-65-3
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Número da peça relacionada

TP5335K1-G
TP5335K1-G
$0 $/pedaço
SIHG80N60E-GE3
SIHG80N60E-GE3
$0 $/pedaço
SI2315BDS-T1-GE3
PMT280ENEAX
PMT280ENEAX
$0 $/pedaço
AUIRFR3710ZTRL
RQ6E045TNTR
RQ6E045TNTR
$0 $/pedaço
NVMFS6H801NLT1G
NVMFS6H801NLT1G
$0 $/pedaço
NTMT095N65S3H
NTMT095N65S3H
$0 $/pedaço
IXFN300N10P
IXFN300N10P
$0 $/pedaço

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