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IXFN300N10P

IXFN300N10P

IXFN300N10P

IXYS

MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B

compliant

IXFN300N10P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $32.19000 $321.9
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 295A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 279 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 23000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1070W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

STD24N06LT4G
STD24N06LT4G
$0 $/pedaço
IRF610LPBF
IRF610LPBF
$0 $/pedaço
XP233N0501TR-G
IXFT36N50P
IXFT36N50P
$0 $/pedaço
SIUD412ED-T1-GE3
AUIRFR5305
CSD17304Q3
CSD17304Q3
$0 $/pedaço
SI7464DP-T1-GE3

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