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SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA433EDJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.30510 -
6,000 $0.28530 -
15,000 $0.27540 -
30,000 $0.27000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

STP5N80K5
STP5N80K5
$0 $/pedaço
SIHJ690N60E-T1-GE3
MTP9N25E
MTP9N25E
$0 $/pedaço
MCQ4822-TP
MCQ4822-TP
$0 $/pedaço
FQA13N50C-F109
IRF9530
IRF9530
$0 $/pedaço
SPP15N65C3XKSA1
CSD18534Q5A
CSD18534Q5A
$0 $/pedaço

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