Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SIHJ690N60E-T1-GE3

SIHJ690N60E-T1-GE3

SIHJ690N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8

não conforme

SIHJ690N60E-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.83000 $1.83
500 $1.8117 $905.85
1000 $1.7934 $1793.4
1500 $1.7751 $2662.65
2000 $1.7568 $3513.6
2500 $1.7385 $4346.25
4 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 700mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 347 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

MTP9N25E
MTP9N25E
$0 $/pedaço
MCQ4822-TP
MCQ4822-TP
$0 $/pedaço
FQA13N50C-F109
IRF9530
IRF9530
$0 $/pedaço
SPP15N65C3XKSA1
CSD18534Q5A
CSD18534Q5A
$0 $/pedaço
SI8429DB-T1-E1
SI8429DB-T1-E1
$0 $/pedaço
STP10N80K5
STP10N80K5
$0 $/pedaço
SIA441DJ-T1-GE3

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.