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SI7862ADP-T1-GE3

SI7862ADP-T1-GE3

SI7862ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

não conforme

SI7862ADP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $2.39932 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 16 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 3mOhm @ 29A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 80 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7340 pF @ 8 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.9W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

PSMN4R5-40BS,118
FQA17N40
IRF6646TRPBF
FDAF59N30
SCT2H12NYTB
SCT2H12NYTB
$0 $/pedaço
SIA400EDJ-T1-GE3
STH400N4F6-2
STH400N4F6-2
$0 $/pedaço

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