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SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

não conforme

SIA400EDJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
51000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 19mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1265 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 19.2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

STH400N4F6-2
STH400N4F6-2
$0 $/pedaço
SQ3427AEEV-T1_BE3
C3M0045065K
C3M0045065K
$0 $/pedaço
STP17N62K3
STP17N62K3
$0 $/pedaço
IPD036N04LGATMA1
NTD3055-150-1
NTD3055-150-1
$0 $/pedaço
PSMN4R2-80YSEX

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