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SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

não conforme

SI7758DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.7V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7150 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRFB4321GPBF
SI2335DS-T1-E3
SI2335DS-T1-E3
$0 $/pedaço
FQPF9P25-T
FQPF9P25-T
$0 $/pedaço
SI4880DY-T1-GE3
IRF820ASTRL
IRF820ASTRL
$0 $/pedaço
BSS138BKW/DG/B2135
IXFN36N60
IXFN36N60
$0 $/pedaço

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