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AOB414_001

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AOB414_001

MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263

não conforme

AOB414_001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.6A (Ta), 51A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2200 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D2Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI4880DY-T1-GE3
IRF820ASTRL
IRF820ASTRL
$0 $/pedaço
BSS138BKW/DG/B2135
IXFN36N60
IXFN36N60
$0 $/pedaço
AUIRLR3114Z
FQD30N06LTF
FQD30N06LTF
$0 $/pedaço
STP200NF04L
STP200NF04L
$0 $/pedaço
RTF020P02TL
RTF020P02TL
$0 $/pedaço
STB21NM50N
STB21NM50N
$0 $/pedaço

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