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SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

não conforme

SI7720DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.01440 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1790 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

FDP047N08-F102
FDP047N08-F102
$0 $/pedaço
STWA40N90K5
STWA40N90K5
$0 $/pedaço
IXTT100N25P
IXTT100N25P
$0 $/pedaço
AUIRFS8409-7P
IXTQ52N30P
IXTQ52N30P
$0 $/pedaço
SIJ462DP-T1-GE3
IXFA76N15T2
IXFA76N15T2
$0 $/pedaço

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