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IXTT100N25P

IXTT100N25P

IXTT100N25P

IXYS

MOSFET N-CH 250V 100A TO268

não conforme

IXTT100N25P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $8.46667 $254.0001
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 24mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 185 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 600W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

AUIRFS8409-7P
IXTQ52N30P
IXTQ52N30P
$0 $/pedaço
SIJ462DP-T1-GE3
IXFA76N15T2
IXFA76N15T2
$0 $/pedaço
FDPF33N25TRDTU
FDPF33N25TRDTU
$0 $/pedaço
QS5U33TR
QS5U33TR
$0 $/pedaço
DMP2045U-13
DMP2045U-13
$0 $/pedaço
PSMN4R3-40MSHX
IPB015N04LGATMA1

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