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SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

não conforme

SI7625DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.53136 -
6,000 $0.50641 -
15,000 $0.48859 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 126 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4427 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

ZXM62P03E6TA
DMT6015LSS-13
FDMC8678S
STWA72N60DM2AG
IRF740ALPBF
IRF740ALPBF
$0 $/pedaço
STP10LN80K5
STP10LN80K5
$0 $/pedaço
SQJ840EP-T1_GE3
IRL100HS121
SIHP15N50E-GE3
SIHP15N50E-GE3
$0 $/pedaço

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