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SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

não conforme

SQJ840EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.77080 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.3mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1900 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 46W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRL100HS121
SIHP15N50E-GE3
SIHP15N50E-GE3
$0 $/pedaço
IXTA270N04T4-7
IXTA270N04T4-7
$0 $/pedaço
BUK9Y25-80E,115
FDN336P
FDN336P
$0 $/pedaço
PMN35EN,115
PMN35EN,115
$0 $/pedaço
18N20
18N20
$0 $/pedaço
GPI65060DFN
GPI65060DFN
$0 $/pedaço
DMN2400UFB4-7
FDPF51N25YDTU

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