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SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

SOT-23

não conforme

SI7615ADN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.32205 -
6,000 $0.30115 -
15,000 $0.29070 -
30,000 $0.28500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 183 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5590 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

5LN01SS-TL-H
5LN01SS-TL-H
$0 $/pedaço
FCH041N60F
FCH041N60F
$0 $/pedaço
BUK753R8-80E,127
BUK753R8-80E,127
$0 $/pedaço
IXFT15N100Q3
IXFT15N100Q3
$0 $/pedaço
IRF9620PBF
IRF9620PBF
$0 $/pedaço
BTS121ANKSA1
MTSF3N03HDR2
MTSF3N03HDR2
$0 $/pedaço

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