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IXFT15N100Q3

IXFT15N100Q3

IXFT15N100Q3

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 15A TO268

não conforme

IXFT15N100Q3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $13.20000 $13.2
30 $11.10000 $333
120 $10.20000 $1224
510 $8.70000 $4437
1,020 $8.40000 -
26 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 6.5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3250 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 690W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

IRF9620PBF
IRF9620PBF
$0 $/pedaço
BTS121ANKSA1
MTSF3N03HDR2
MTSF3N03HDR2
$0 $/pedaço
SI7465DP-T1-E3
SI7465DP-T1-E3
$0 $/pedaço
FQP2N90
FQP2N90
$0 $/pedaço
IXTT30N50L2
IXTT30N50L2
$0 $/pedaço

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