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SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

compliant

SI7613DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.50840 -
6,000 $0.48453 -
15,000 $0.46748 -
30 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.7mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2620 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

CSD18511Q5AT
CSD18511Q5AT
$0 $/pedaço
SIE822DF-T1-GE3
BSS127SSN-7
BSS127SSN-7
$0 $/pedaço
APT38F80L
APT38F80L
$0 $/pedaço
AUIRF1404STRL
IXFN360N15T2
IXFN360N15T2
$0 $/pedaço
DMT3009LFVWQ-7
IXFX32N80P
IXFX32N80P
$0 $/pedaço

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