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DMT3009LFVWQ-7

DMT3009LFVWQ-7

DMT3009LFVWQ-7

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

compliant

DMT3009LFVWQ-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.31108 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Ta), 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 3.8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 823 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount, Wettable Flank
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IXFX32N80P
IXFX32N80P
$0 $/pedaço
NTD4813N-1G
NTD4813N-1G
$0 $/pedaço
BSZ0589NSATMA1
BUK652R6-40C,127
BUK652R6-40C,127
$0 $/pedaço
NTMFS4849NT1G
NTMFS4849NT1G
$0 $/pedaço
IXFQ72N30X3
IXFQ72N30X3
$0 $/pedaço

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