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SI7407DN-T1-GE3

SI7407DN-T1-GE3

SI7407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

compliant

SI7407DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 400µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 59 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SUM110N04-2M1P-E3
NTP30N06L
NTP30N06L
$0 $/pedaço
IRFR2905ZTR
SI4829DY-T1-E3
SI4829DY-T1-E3
$0 $/pedaço
FDC633N_F095
FDC633N_F095
$0 $/pedaço
IRLL2705PBF
SI4412ADY-T1-GE3
SUP60N06-12P-GE3

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