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SUP60N06-12P-GE3

SUP60N06-12P-GE3

SUP60N06-12P-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

compliant

SUP60N06-12P-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1970 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.25W (Ta), 100W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SI7388DP-T1-E3
SI7388DP-T1-E3
$0 $/pedaço
IPP50R140CPHKSA1
IRFH5206TRPBF
RSY200N05TL
RSY200N05TL
$0 $/pedaço
SI4403BDY-T1-GE3
NVD4813NHT4G
NVD4813NHT4G
$0 $/pedaço
SPD50P03L
SPD50P03L
$0 $/pedaço
IRLIB4343
IRLIB4343
$0 $/pedaço

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