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SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

não conforme

SI7115DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.05498 -
6,000 $1.01837 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 295mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1190 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IXFX230N20T
IXFX230N20T
$0 $/pedaço
SIHA15N60E-GE3
SIHA15N60E-GE3
$0 $/pedaço
IPL60R125P7AUMA1
SI7852DP-T1-E3
SI7852DP-T1-E3
$0 $/pedaço
SIS488DN-T1-GE3
HUFA75337S3ST
MCH3477-TL-W
MCH3477-TL-W
$0 $/pedaço
SIDR668ADP-T1-RE3
NVD14N03RT4G
NVD14N03RT4G
$0 $/pedaço

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