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SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK

não conforme

SI7113ADN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.26082 -
6,000 $0.24493 -
15,000 $0.22903 -
30,000 $0.21791 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 132mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.6V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 515 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 27.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

FDMA7628
RTQ020N05HZGTR
DMP610DLQ-13
HUF75631S3ST
SIR494DP-T1-GE3
STH140N6F7-2
STH140N6F7-2
$0 $/pedaço
FDU6512A
IXTH88N30P
IXTH88N30P
$0 $/pedaço
SIE874DF-T1-GE3

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