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HUF75631S3ST

HUF75631S3ST

HUF75631S3ST

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

compliant

HUF75631S3ST Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.33446 $1067.568
1,600 $1.22467 -
321 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 40mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 79 nC @ 20 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1220 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 120W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIR494DP-T1-GE3
STH140N6F7-2
STH140N6F7-2
$0 $/pedaço
FDU6512A
IXTH88N30P
IXTH88N30P
$0 $/pedaço
SIE874DF-T1-GE3
MTB15N06V
MTB15N06V
$0 $/pedaço
STF12NK60Z
STF12NK60Z
$0 $/pedaço
FDB8453LZ

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