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SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

não conforme

SI7110DN-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.80721 -
6,000 $0.76931 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

NTB22N06T4
NTB22N06T4
$0 $/pedaço
SQM40081EL_GE3
SQM40081EL_GE3
$0 $/pedaço
EMH1303-TL-E
EMH1303-TL-E
$0 $/pedaço
SCT20N120H
SCT20N120H
$0 $/pedaço
BSD314SPE L6327
BUK9628-100A,118
SQ2318AES-T1_BE3
TN0620N3-G-P002
2N6660
2N6660
$0 $/pedaço

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