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2N6660

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MOSFET N-CH 60V 410MA TO39

2N6660 Ficha de dados

compliant

2N6660 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $11.41000 $11.41
25 $10.46480 $261.62
100 $10.18050 $1018.05
2161 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 410mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 50 pF @ 24 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-39
pacote / caixa TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Número da peça relacionada

STB11NK40ZT4
STB11NK40ZT4
$0 $/pedaço
SIRS700DP-T1-GE3
IXFA130N10T2-TRL
IXFA130N10T2-TRL
$0 $/pedaço
BUK7675-100A,118
SIR576DP-T1-RE3
RRH140P03TB1
RRH140P03TB1
$0 $/pedaço
DMG301NU-13
DMG301NU-13
$0 $/pedaço
DMN2028UVT-7
NTMFD4952NFT1G
NTMFD4952NFT1G
$0 $/pedaço
SIHP8N50D-E3
SIHP8N50D-E3
$0 $/pedaço

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