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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de feto | P-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 20 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 2.7A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 2.5V, 4.5V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 210mOhm @ 2A, 4.5V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 1.5V @ 250µA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 4.5 nC @ 4.5 V |
| vgs (máx.) | ±12V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 312 pF @ 10 V |
| característica fet | Schottky Diode (Isolated) |
| dissipação de potência (máx.) | 1.75W (Ta), 2.75W (Tc) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | 8-SOIC |
| pacote / caixa | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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