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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 1200 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 21A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 20V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 225mOhm @ 8A, 20V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 3.26V @ 500µA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 34 nC @ 20 V |
| vgs (máx.) | +23V, -10V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 510 pF @ 1000 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 125W (Tc) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montagem | - |
| pacote de dispositivo do fornecedor | - |
| pacote / caixa | - |
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