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SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 36A 8SO

não conforme

SI4497DY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.96368 -
5,000 $0.93024 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 36A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 285 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9685 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

MCH6344-TL-H
MCH6344-TL-H
$0 $/pedaço
IPP60R280P7XKSA1
MSC130SM120JCU3
SI4160DY-T1-GE3
APT5010B2LLG
DMTH47M2SPSWQ-13
SQJA68EP-T1_GE3
STP1N105K3
STP1N105K3
$0 $/pedaço

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