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SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L

não conforme

SQJA68EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.29493 -
6,000 $0.27579 -
15,000 $0.26622 -
30,000 $0.26100 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 92mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 280 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8L
pacote / caixa PowerPAK® SO-8L
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Número da peça relacionada

STP1N105K3
STP1N105K3
$0 $/pedaço
STL26N60DM6
STL26N60DM6
$0 $/pedaço
ZXMN6A25GTA
ZXMN6A25GTA
$0 $/pedaço
SUD09P10-195-GE3
SQD30N05-20L_GE3
IPL65R195C7AUMA1
HUFA75344P3
SQSA12CENW-T1_GE3

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