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SI3443BDV-T1-GE3

SI3443BDV-T1-GE3

SI3443BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

compliant

SI3443BDV-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.27115 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-TSOP
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

NTMS4800NR2G
NTMS4800NR2G
$0 $/pedaço
NTP125N02R
NTP125N02R
$0 $/pedaço
STL24N65M2
STL24N65M2
$0 $/pedaço
RQ3E070BNTB1
RQ3E070BNTB1
$0 $/pedaço
RS1E300GNTB
RS1E300GNTB
$0 $/pedaço
SI2369DS-T1-BE3
IRFB3207PBF

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