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RQ3E070BNTB1

RQ3E070BNTB1

RQ3E070BNTB1

NCH 30V 15A POWER MOSFET: RQ3E07

não conforme

RQ3E070BNTB1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.41118 $0.41118
500 $0.4070682 $203.5341
1000 $0.4029564 $402.9564
1500 $0.3988446 $598.2669
2000 $0.3947328 $789.4656
2500 $0.390621 $976.5525
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Ta), 15A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.9 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 410 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 13W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

RS1E300GNTB
RS1E300GNTB
$0 $/pedaço
SI2369DS-T1-BE3
IRFB3207PBF
NTH4LN095N65S3H
NTH4LN095N65S3H
$0 $/pedaço
FDMS0308AS
FDMS0308AS
$0 $/pedaço
IRFL024ZTRPBF
RM27P30LDV
RM27P30LDV
$0 $/pedaço
TP0610T-G
TP0610T-G
$0 $/pedaço

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