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SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

não conforme

SI2338DS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.20758 -
6,000 $0.19493 -
15,000 $0.18228 -
30,000 $0.17342 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 28mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 424 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

FDP6030BL
NTMFS4C08NT3G
NTMFS4C08NT3G
$0 $/pedaço
IPA60R165CPXKSA1
R6015ENJTL
R6015ENJTL
$0 $/pedaço
PMXB43UNEZ
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$0 $/pedaço
NTS4001NT3G
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$0 $/pedaço
RM130N200T2
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3LN01SS-TL-H
3LN01SS-TL-H
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HUF76633S3ST
IXFH36N60P
IXFH36N60P
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