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FDP6030BL

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

não conforme

FDP6030BL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.57000 $1.57
10 $1.38900 $13.89
100 $1.09770 $109.77
800 $0.74373 $594.984
1,600 $0.67204 -
7865 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1160 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NTMFS4C08NT3G
NTMFS4C08NT3G
$0 $/pedaço
IPA60R165CPXKSA1
R6015ENJTL
R6015ENJTL
$0 $/pedaço
PMXB43UNEZ
PMXB43UNEZ
$0 $/pedaço
NTS4001NT3G
NTS4001NT3G
$0 $/pedaço
RM130N200T2
RM130N200T2
$0 $/pedaço
3LN01SS-TL-H
3LN01SS-TL-H
$0 $/pedaço
HUF76633S3ST
IXFH36N60P
IXFH36N60P
$0 $/pedaço

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