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SI1489EDH-T1-GE3

SI1489EDH-T1-GE3

SI1489EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363

compliant

SI1489EDH-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 8 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 48mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 700mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-70-6
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Número da peça relacionada

ZVN2535ASTOA
IRF3315STRRPBF
IRF6633TR1PBF
IXCY01N90E
IXCY01N90E
$0 $/pedaço
IRF7467TR
IRF7467TR
$0 $/pedaço
FQP3N80
FQP3N80
$0 $/pedaço
IXTT72N20
IXTT72N20
$0 $/pedaço
STW13N60M2
STW13N60M2
$0 $/pedaço
IPP120N06NGAKSA1
IRF6674TR1PBF

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