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FQP3N80

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3

FQP3N80 Ficha de dados

compliant

FQP3N80 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 690 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 107W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IXTT72N20
IXTT72N20
$0 $/pedaço
STW13N60M2
STW13N60M2
$0 $/pedaço
IPP120N06NGAKSA1
IRF6674TR1PBF
IRLI530G
IRLI530G
$0 $/pedaço
IRFU3607TRL701P
IPD20N03L G
IRF7495PBF
STU95N2LH5
STU95N2LH5
$0 $/pedaço
FDU7N60NZTU
FDU7N60NZTU
$0 $/pedaço

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