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SI1305EDL-T1-GE3

SI1305EDL-T1-GE3

SI1305EDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3

compliant

SI1305EDL-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 8 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 860mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 280mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 450mV @ 250µA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 290mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-70-3
pacote / caixa SC-70, SOT-323
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Número da peça relacionada

IPI075N15N3
SQ7414AEN-T1_BE3
BSN20BK215
BSN20BK215
$0 $/pedaço
IXTH150N17T
IXTH150N17T
$0 $/pedaço
STP60NH2LL
STP60NH2LL
$0 $/pedaço
IXTP2N80P
IXTP2N80P
$0 $/pedaço
IPP220N25NFD
IXTP3N110
IXTP3N110
$0 $/pedaço

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