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IXTP2N80P

IXTP2N80P

IXTP2N80P

IXYS

MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB

compliant

IXTP2N80P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 50µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 440 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IPP220N25NFD
IXTP3N110
IXTP3N110
$0 $/pedaço
NTD3055-094G
NTD3055-094G
$0 $/pedaço
FDH50N50_F133
IRF520NSTRR
AUIRFR4105Z
IRF610STRL
IRF610STRL
$0 $/pedaço
IRLR120NPBF

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