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IRFBE30PBF-BE3

IRFBE30PBF-BE3

IRFBE30PBF-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

não conforme

IRFBE30PBF-BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.35000 $2.35
500 $2.3265 $1163.25
1000 $2.303 $2303
1500 $2.2795 $3419.25
2000 $2.256 $4512
2500 $2.2325 $5581.25
968 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

AUIRFS3006-7P
IXTP2N100
IXTP2N100
$0 $/pedaço
IRFB4321PBF
NVMFS5C645NT1G
NVMFS5C645NT1G
$0 $/pedaço
STP180N4F6
STP180N4F6
$0 $/pedaço
SQM60N06-15_GE3
SQJA70EP-T1_BE3
2N7002KT7G
2N7002KT7G
$0 $/pedaço

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